一、SRAM芯片是什么？
SRAM比DRAM更快，但也贵很多。SRAM用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU上，也可以不在CPU上。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区。一个桌面系统的SRAM不会超过几兆字节，但是DRAM却有几百兆字节或几千兆字节。
SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的，它可以无限期地保持在两个不同的电压配置或状态之一。其他任何状态都是不稳定的。由于它的双稳态特性，只要有电，它就会永远地保持它的值。
DRAM将每个位存储为对电容的充电。DRAM存储器单元对干扰非常敏感，当电容的电压被扰乱之后，它就永远不会恢复了。
总结来说，只要有电，SRAM就是持续的，与DRAM不同，它不需要持续刷新。SRAM的存取比DRAM快。SRAM对诸如光和电噪音这样的干扰不敏感，代价是SRAM单元比DRAM单元使用更多的晶体管，因而没那么密集，而且更贵，功耗更大。
摘自 深入理解计算机系统 中国电力出版社，纯手打，正好在复习这个地方。
二、sram的地址线怎么计算？
1. SDRAM的地址线是根据存储器容量来计算的。2. SDRAM的地址线数量取决于存储器的大小，每个地址线可以表示2的幂次方个存储单元。例如，如果SDRAM的容量为2^10个存储单元，那么需要10根地址线来表示。3. 如果需要计算SDRAM的地址线数量，可以使用以下公式：地址线数量 = log2(存储器容量)。其中，log2表示以2为底的对数运算。是，地址线的数量决定了SDRAM可以寻址的存储单元数量，而存储器容量的大小也会影响计算机系统的性能和扩展性。
三、netsol是什么品牌？
Netsol是一家成立于2010年的韩国无晶圆厂存储器半导体设计公司。在开发和销售具有高品质和可靠性标准的非商品存储器产品。当前的产品是异步快速SRAM，低功耗SRAM芯片，同步SRAM芯片，四重/ DDR SRAM和SLC NAND闪存。
四、芯片存储数据的原理？
芯片存储数据原理是 sram 里面的单位是若干个开关组成一个触发器，形成可以稳定存储0,1信号，同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。
dram ,主要是根据电容上的电量，电量大时，电压高表示1反之表示0芯片就是有大量的这些单元组成的，所以能存储数据。