一、ai立体显示技术？
Al立体显示技术，是人工智能立体显示技术是裸眼3D的升级版。
AI立体显示技术通过第五代费马光栅技术结合人工智能，很好的解决了可视角度和晕眩的问题，让传统的裸眼3D变成了真正的人工智能立体显示。
这个是有产品为证的，具体体现在推出的B01立体显示手机， 该产品已经推向了市场，在3D立体显示效果上获得了用户正面积极的评价。
二、自由立体显示技术概念？
自由立体显示技术的概念就是根据你的思维可以直接构造出立体的图像显示出来
三、何为立体打印技术？
三维立体打印机，也称三维打印机（3D Printer，简称3DP）是快速成型（Rapid Prototyping,RP）的一种工艺，采用层层堆积的方式分层制作出三维模型，其运行过程类似于传统打印机，只不过传统打印机是把墨水打印到纸质上形成二维的平面图纸，而三维打印机是把液态光敏树脂材料、熔融的塑料丝、石膏粉等材料通过喷射粘结剂或挤出等方式实现层层堆积叠加形成三维实体。
四、立体养殖技术解释？
立体养殖技术是指在单位面积土地（或水体）上，通过种植业、养殖业、加工业的巧妙结合，建立多物种共栖、多层配置、多级质能循环利用的立体种养模式和配套技术。
例如，在山地丘陵地区，可以利用坡地和沟谷，种植果树、茶叶、中药材等经济作物，同时在坡地下方或沟谷中养殖鸡、鸭、鹅等家禽，或者鱼、虾、蟹等水产。在水稻田里，也可以采用类似的方法，既种植水稻，又养殖鱼、虾、蟹等水生动物，这样不仅可以节约水资源和化肥农药的使用，还可以提高水稻和水产的产量和品质。
立体养殖技术可以提高土地利用效率，实现作物和动物之间的互惠互利，同时减少环境污染，提高能源利用率，大幅减少用药量，产品质量更有保障。
五、春蚕立体养殖技术？
春蚕要达到发育整齐健壮，优质高产，必须注童抓好以下要点。
一、做好补催青工柞。领蚕种前一天，共育室应加温到38℃，干湿差为2℃～3℃。领回蚕种后，立即均匀平摊在蚕座纸上，并将室温升至43℃、干湿差为1℃～2℃。使用煤炉加温的蚕室要注意做好通风换气工作。蚕室要严格避光，使胚子发育整齐。如蚕卵转青较齐，则第2天早上即可感光收蚁，否则以第3天清晨感光收蚁为宜。
二、适时收蚊。若收蚁时间过早，收蚁时部分蚕尚未有食欲，会造成蚕儿食桑有先有后。若收蚁时随出随收，则会引起蚕儿发育不齐。最适收蚁时间应掌握在卵化2～3小时后，绝大部分蚁蚕已有食欲，并开始徘搁觅食时进行。春蚕在上午8～9时收蚁，争取在10时前结束。收下的蚁中如发现有未孵化的蚕卵，应继续置黑暗处保护，次日晨再感光收蚁。
三、控制蚕头密度。如蚕座稀密不匀，会导致蚕体发育不齐。所以每次给桑前都应扩座、匀座，要求小蚕以蚕不碰蚕、大蚕以蚕不重叠为宜。
四、避免用叶不一。为了促使幼蚕发育齐一，要按朋蚕各龄前的用叶标唯采叶喂蚕，避免用嫩老不一的桑叶。另外，给桑要厚薄均匀。
五、蚕体受温均匀。同一蚕室内不同位置蚕臣内的蚕儿受温度影响不同。如蚕架上方和离火源近处温度偏高，蚕儿发育快，反之温度偏低，蚕儿发育慢。因此，应注意经常调换蚕匾位置。小蚕期每天至少调换次。
六、适时饷食。过早饷食，有的蚕还未有食欲，甚至还有部分眠蚕，导致同批蚕食桑有先有后，发育不齐，因此要适时饷食。下眠前，若蚕发育不齐，眠后饷食时间可比正常饷食推迟3小时左右，这样能保证发育较慢的蚕与发育较快的蚕同时吃叶。
七、加网分批。一般眠除后经过2次给桑，仍然就眠不齐，就可加网提青。提出的青头应放在近热源处，大蚕青头可放在蚕架上层。个别发育不良，体质虚弱的小蚕应予以淘汰
六、田螺立体养殖技术？
一、田螺养殖场地选择
田螺养殖场地要选择水源充足，水质良好，腐殖质土壤及交通方便的地方。最好有流水。
养殖池建造。螺池规格一般宽1.5-1.6米，长度10-15米，也可以地形为准。池子四周作埂，埂高50厘米左右。池水两头开设进出水口，并安装好拦网，以防田螺逃逸。同时，在养殖池中间稀栽种茭白等水生植物，这不仅可提高土地产出率，而且又为田螺生长创造了良好的生态环境。
二、放养量与饲养管理
1、田螺放养密度，一般每平方米放养100-120个，同时，每平方米套养夏花鲢鳙鱼种5尾左右进行主体养殖。田螺放养时间一般都在3月份。
2、施肥投饵。养殖池先投施些粪便，以培养游浮生物为田螺提供饵料。施肥量视螺池底质肥瘦而定。田螺放入池后，投喂青菜、米糠、鱼内脏或菜饼、豆饼等。青角、鱼内脏要切碎与米糠等饲料拌匀投喂。菜饼、豆饼等要浸泡变软，以便于田螺摄食。投喂量视田螺摄食情况而定，一般按田螺总量的1%-3%计算，每2-3天投喂一次。投喂时间每天上午，投饵的位置不必固定，饲料隔天投放。当温度低于15℃或高于30℃时，不需投饵。
3、水质调节。一是螺池要经常注入新水，以调节水质，特别是繁殖季节，最好保持池水流动，尤其是高温季节，采取流水养殖效果更好。在春秋季节以微流水养殖为好。螺池水深度需常保持田螺是我国生长的一种淡水螺，属上等保健食品
七、arcscene怎么立体显示？
1.打开ArcScene软件
2.加载DEM数据，显示为平面
3.右击DEM图层，点击属性，弹出属性框，选择“基本高度”，在“从表面获取的高程”中，选择“在自定义表面上浮动”。
4.由于比例尺问题，显示只有一个竖线，极度变形，右击“Scene图层”，选择“场景属性",弹出场景属性对话框，将垂直夸大的值基于范围进行计算，点击确定；
5.得到的三维显示效果，这样就是arcscene立体显示了
八、新概念立体养蜂技术？
立体式蜂蜜生产设备，包括外壳、摇蜜罐、滤筒、滤网及驱动组件；所述外壳为筒状结构，顶部设置有活动顶盖；所述摇蜜罐设置在外壳内，摇蜜罐顶部无盖并且外壁设置有外齿圈；所述摇蜜罐内设置有滤筒，滤筒与摇蜜罐内壁之间设置有缓冲弹簧；所述摇蜜罐对应滤筒底部设置有滤网；所述驱动组件包括电机、主动锥齿轮、从动锥齿轮及驱动齿轮，电机设置在外壳外壁上，电机的输出轴水平伸入外壳内并连接主动锥齿轮，从动锥齿轮垂直啮合主动锥齿轮，从动锥齿轮同轴连接有驱动齿轮，驱动齿轮与外齿圈啮合；所述外壳底端内侧设置有一圈滑轨，摇蜜罐对应通过连杆连接有滑块，滑块与滑轨滑动连接。
九、立体韭黄种植技术？
1、品种选择，栽培韭黄的韭菜要选择大叶型韭菜品种。大叶韭菜的叶片宽厚，纤维比较少，产量高，香味比较淡，适宜软化栽培韭黄。
2、播种时间：一般在春季3—4月份播种。
3、播种：选择饱满、无虫咬的当年或者前一年采收的种子，选种前先将种子放在日光下晒2—3天，然后均匀地撒播在育苗床上。每亩大田需要用种量为0.5公斤。
4、苗床管理：播种后保持土壤湿润，苗高5厘米左右轻浇一水，及时松土。10厘米以后，可结合浇水溜施腐熟粪肥或追施尿素2—3次，并随水冲施晶体敌百虫每亩0.5—1公斤，以杀灭韭蛆等害虫。苗高15厘米后控制灌水，以防徒长倒伏。杂草应及时拔除，在苗高12厘米左右时，每亩用0.5—0.75公斤25%除草醚防除；或在播种后出苗前亩用0.15公斤33%除草通乳油喷雾处理地表。
5、整地作畦施肥：选择土壤疏、松肥、沃排灌方便的地块，韭菜是一种耐肥蔬菜，施足底肥是韭菜生长又高又粗丰产的重要措施之一。一般每亩施腐熟的有机肥1500—2000公斤，另外加入适量的人畜粪尿和磷肥，整平作畦。畦宽2—3米。6月下旬至7月上旬进行移栽。基肥施入定植沟内。定植前将须根末端剪掉，齐鳞茎理成小把。平畦穴栽，行距50厘米，穴距16—26厘米，每穴6-8株为宜。栽植时，以不埋没叶鞘为宜，栽植后踏实，及时浇水。
6、水肥管理：当韭菜新叶发出后应浇缓苗水，并中耕保墒，保持土壤见干见湿。入秋后，正值韭菜生长最旺盛时期，要充分供应肥水。以后气温逐渐降低，植株生长缓慢，保持地表不干即可。韭菜定植当年，管理上以追肥，促进生长为主。
十、什么是立体光刻技术？
集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。两种工艺 常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。 ①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。 ②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。在狭义上，光刻工艺仅指光复印工艺的工艺过程。 曝光方式 常用的曝光方式分类如下： 接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。 非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触,不会引起损伤和沾污,成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。现代应用最广的是1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。 曝光系统 直接分步重复曝光系统(DSW)超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约的要求而发展起来的光学曝光系统。主要技术特点是：①采用像面分割原理，以覆盖最大芯片面积的单次曝光区作为最小成像单元，从而为获得高分辨率的光学系统创造条件。②采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行重复曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而满足晶片直径不断增大的实际要求。③缩短图像传递链，减少工艺上造成的缺陷和误差，可获得很高的成品率。④采用精密自动调焦技术，避免高温工艺引起的晶片变形对成像质量的影响。⑤采用原版自动选择机构（版库），不但有利于成品率的提高，而且成为能灵活生产多电路组合的常规曝光系统。这种系统属于精密复杂的光、机、电综合系统。它在光学系统上分为两类。一类是全折射式成像系统，多采用1/5～1/10的缩小倍率,技术较成熟；一类是1:1倍的折射-反射系统，光路简单，对使用条件要求较低。 光致抗蚀剂 光致抗蚀剂，简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。 半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求，在单位面积上要求完善传递图像的信息量已接近常规光学的极限。光刻曝光的常用波长是3650～4358埃，预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理，允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长，此时可达到的实用分辨率约为0.5～0.7微米。微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外,对抗蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高的要求。因此，工艺过程的自动化和数学模型化是两个重要的研究方向。